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        行業新聞

        思銳智能專注ALD創新,突破產能效率邊界和性能新高度

        發布時間:2021-08-09    1502 閱讀量

        沉積、光刻、刻蝕以及等離子注入是半導體和超越摩爾領域制造工藝的 4 大關鍵技術。在新晶圓產線的投資建設中,約 80% 的投資用于購買設備,薄膜沉積設備更是占據其中約 25% 的比重。業界主流的薄膜沉積工藝主要有原子層沉積 (ALD)、物理式真空鍍膜 (PVD) 和化學式真空鍍膜 (CVD) 等。其中 ALD 屬于 CVD 的一種,是當下最先進的薄膜沉積技術。調研機構 GIR 相關報告表明,全球 ALD 設備的市場規模在 2021-2026 年的年復合增長率預計達到 25.1%,將從 2019 年的 10.661 億美元增至 2026 年的 26.129 億美元。

        隨著新材料、新制程、新工藝在新興半導體制造行業的應用與發展,ALD 技術可以使得材料以單原子膜(0.1nm)形式沉積在基板表面的特性,在沉積層的厚度控制、3D 異形材料表面均勻度、表面無針孔、折射率等方面具有顯著優勢,因此特別適用于 MEMS、CMOS 圖像傳感器等產品的制造與生產,并逐漸成為超越摩爾領域的鍍膜沉積技術首選。

        青島四方思銳智能技術有限公司(SRII)全資子公司——BENEQ 全新推出的 TransformTM 系列設備是專為超越摩爾應用市場提供的具有競爭力的 ALD 解決方案。TransformTM 平臺采用了全新的集群設計和尖端的鍍膜沉積技術,可以為 8" 及以下晶圓的表面沉積多種材料,包括 Al2O3、SiO2、AlN、TiN 等氧化物與氮化物,并實現完全保形和高均勻性的薄膜沉積。BENEQ 半導體業務技術總監 Alexander Perros 介紹 :BENEQ 通用型 ALD 技術的超越摩爾應用矩陣十分豐富,包括功率器件、濾波器、MEMS 和 CIS 等。同時,BENEQ 針對不同的細分市場也推出了不同的 ALD 解決方案,主要包括高 K 介電質、表面鈍化、ALD 成核層、化學阻擋層、防潮層及抗反射膜等。例如,表面鈍化,可以用不同 ALD 材料來實現表面鈍化,防潮層則在封裝上發揮關鍵作用;這些均在廣泛的應用中具備很強的通用性。

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        代表BENEQ先進通用型ALD技術的TransformTM 系列設備

        一個平臺,多種配置

        BENEQ Transform ?憑借多功能性和靈活性,制造了全新的 ALD 集群工具設備??蛇m用于廣泛的應用場景并滿足不同的市場細分。Beneq Transform ?配置多個 ALD工藝模塊,以滿足特定的晶圓產能要求,也可為應對不斷增長的產量或新的 ALD 應用而進行升級。

        BENEQ 半導體業務負責人 Patrick Rabinzohn 表示 :“TransformTM 平臺兼容單片、批量、熱法以及等離子體等功能,是目前業界僅有、集多項功能于一體的通用型先進平臺。不僅如此,TransformTM 平臺更具備靈活配置的優勢,客戶可以根據自身需求,選擇‘3 組 ALD 模塊 + 預加熱模塊’構建 TransformTM 的標準配置、或‘2 組 ALD 模塊+ 預加熱模塊’構建 TransformTM Lite 的簡化配置,實現差異化、更具效益的生產和管理方式,并在主流廠商中開拓了意向訂單?!?/p>

        以鍍膜沉積 50 納米的氧化鋁為例,若采用標準配置的 TransformTM 系統,最多的產量可以達到每小時 40 片晶圓以上,即使 Lite 設備也能達到每小時 25 片以上,這于整個行業對 ALD 的傳統認知可謂顛覆性的技術突破!Beneq TransformTM 專為晶圓廠而設計,適用于廣泛的高性能氧化物和氮化物,在工藝制備中可滿足最苛刻的薄膜沉積要求,并提供無與倫比的靈活性。工業標準的水平晶圓裝載可實現即插即用的無縫集成。配備獨特的預熱模塊,可減少數小時的等待時間,并將產能提升到一個全新的水平。

        BENEQ TransformTM 平臺已經通過 SEMI S2/S8 認證,支持 SECS/GEM 標準,并逐漸向 12" 晶圓的成熟沉積技術邁進。除了縱向的技術、性能、產能突破,憑借BENEQ 先進的通用型 ALD 技術,思銳智能正在拓展更多前沿垂直行業的應用創新,將為客戶提供靈活、可靠、高產能的半導體晶圓鍍膜量產解決方案。

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